PENDAHULUAN
Thyristor merupakan
salah satu devais semikonduktor daya yang paling penting dan telah digunakan
secara ekstensif pada rangkaian elektronika daya.Thyristor biasanya digunakan
sebagai saklar/bistabil,beroperasi antara keadaan non konduksi ke konduksi.Pada
banyak aplikasi,thyristor dapt diasumsikan sebagai saklar ideal akan tetapi
dalam prakteknya thyristor memiliki batasan dan karakteristik tertentu.
KARAKTERISTIK THYRISTOR
Thyristor merupakan
devais semikonduktor 4 lapisan berstruktur pnpn dengan tiga pn-junction.devais
ini memiliki 3 terminal: anode,katode dan gerbang.Thyristor dibuat melalui
proses difusi.
Ketika tegangan anode
dibuat lebih positif dibandingkan dengan katode,sambungan J1 dan J3 berada pada
kondisi forward bias.Sambungan J2 berada pada kondisi reverse bias,dan akan
mengalir arus bocor yang kecil antara anode ke katode.Pada kondisi ini
thyristor dikatakan pada kondisi forward blocking stau kondisi off-state,dan
arus bocor dikenal sebagai arus off-state ID.Jika tegangan anode ke katode VAK
ditingkatkan hingga suatu tegangan tertentu,sambungan J2 akan bocor.
Hal ini dikenal dengan avalanche breakdown dan tegangan VAK
tersebut dikenal sebagai forward breakdown voltage,VBO .Dan karena J1 dan J3
sudah berada pada kondisi forward bias,maka akan terdapat lintasan pembawa
muatan bebas melewati ketiga sambungan,yang akan menghasilkan arus anode yang
besar.Thyristor pada kondisi ini disebut berada pada keadaan konduksi atau
keadaan hidup.
Ketika pada kondisi
on,thyristor akan bertindak seperti diode yang tidak dapat dikontrol.Devais ini
akan terus berada pada kondisi on karena tidak adanya lapisan deplesi pada
sambungan J 2 karena pembawa-pembawa muatan yang bergerak bebas.Akan
tetapi,jika arus maju anode berada dibawah suatu tingkatan yang disebut holding
current I H,daerah deplesi akan terbentuk di sekitar J 2 karena adanya
pengurangan banyak pembawa muatan bebas dan thyristor akan berada pada keadaan
blocking.Holding current adalah arus anode minimum untuk mempertahankan
thyristor pada kondisi on.
Ketika tegangan
katode lebih positif dibanding dengan anode,sambungan J2 ter forward bias,akan
tetapi sambungan J1dan J3 akan ter-reverse bias.
Thyristor akan dapat
dihidupkan dengan meningkatkan tegangan maju VAK diatas VBO,akan tetapi kondisi
ini bersifat merusak.Thyristor dapat dikategorikan sebagai latching device.
MEMBUAT THYRISTOR HIDUP
Suatu thyristor
dihidupkan dengan meningkatan arus anoda. Hal ini dapat dicapai dengan salah
satu langkah berikut.
Ø
Panas. Jika suhu thyristor cukup tinggi,akan terjadi peningkatan jumlahpasangan
elektron-hole,sehingga arus bocor meningkat. Peningkatan ini akan menyebabkan α
1 dan α 2 meningkat.karena aksi regeneratif akan menuju ke nilai satuan dan
thyristor mungkin akan on. Cara ini dapat menyebabkan thermal runaway dan
biasanya dihindari.
Ø
Cahaya. Jika cahaya diizinkan mengenai sambungan thyristor, pasangan
elektron-hole akan meningkat dan thyristor mungkin akan on.Cara ini dilakukan
dengan membiarkan cahaya mengenai silicon wafer dari thyristor.
Ø
Tegangan Tinggi. Jika tegangan forward anode ke katode lebih besar dari
tegangan maju breakdown VBO, arus bocor yang dihasilkan cukup untuk membuat
thyristor on. Cara ini merusak dan harus dihindari.
Ø
dv/dt. Jika kecepatan peningkatan tegangan anode-katode cukup tinggi,arus
pengisian sumber kapasitor mungkin cukup untuk membuat thyristor on.Nilai arus
pengisian yang tinggi dapat merusak thyristor,dan devais harus diproteksi
melawan dv/dt yang tinggi.
Ø Arus
gerbang. Jika suatu thyristor diberi tegangan bias forward, injeksi arus
gerbang dengan menerapkan tegangan gerbang positif antara terminal gerbangdan
katode akan membuat thyeistor on. Ketika arus gerbang ditingkatkan, tegangan
forward blocking akan menurun
Beberapa hal berikut harus diperhatikan ketika merancang
rangkaian kendali gerbang:
1. Sinyal gerbang harus dihilangkan setelah thyristor
dihidupkan.Suatu sinyal penggerbangan kontinyu akan meningkatkan daya yang
terbuang di sambungan gerbang.
2. Ketika thyristor pada kondisi reverse bias,tidak boleh
ada sinyal gerbang;jika ada sinyal gerbang,thyristor akan rusak karena
peningkatan arus bocor.
3. Lebar pulsa gerbang tG harus lebih lama dari waktu yang
diperlukan untuk arus anode meningkat ke nilai arus holding IH.Secara
praktis,lebar pulsa tG biasanya diambil lebih dari waktu turn-on ton dari
thyristor.
4.1. MEMBUAT THYRISTOR OFF
Thyristor yang berada
dalam keadaan on dapat dimatikan dengan mengurangi arus maju ke tingkat di
bawah arus holding IH.Ada beberapa variasi teknik untuk membuat thyristor
off.Pada semua teknik komutasi,arus anode dipertahankan di bawah arus holding
cukup lama,sehingga semua kelebihan pembawa muatan pada keempat layer dapat
dikeluarkan.
Akibat dua sambungan
pn,J1 dan J3,karakteristik turn-off akan miripdengan pada diode,berkaitan
dengan waktu pemulihan reverse trr dan aarus pemulihan reverse puncak IRR.IRR
dapat lebih besar daripada arus blocking baik nominal.IR .Pada rangkaian
konverter line-commutated yang tegangan masukannya bersifat bolak-balik
,tegangan balik muncul pada thyristor seketika setelah arus maju menuju ke
nol.Tegangan balik ini akan mengakselarasi proses turn-off,dengan membuang
semua kelebihan muatan dari sambungan pn J1 dan J3.
Sambungan pn alam J2
akan memerlukan waktu yang dikenal sebagai recombination time trc bergantung
pada magnituda dari tegangan balik.
Waktu turn-off tq
adalah jumlah dari reverse recovery time trr dan recombination time trc.Pada
akhir masa turn-off ,lapisan deplesi terbentuk sepanjang sambungan J2 dan
thyristor memperoleh kembali kemampuan untuk tahan terhadap tegangan forward.
Waktu turn-off tq
merupakan interval waktu minimum ketika arus keadaan on berkurang menjadi nol
dan ketika thyristor dapat menahan tegangan forward tanpa menjadi on.tq
bergantung pada nilai puncak dari arus keadaan on dan tegangan keadaan on
sesaat.
Reverse recovered
charge QRR adalah besar muatan yang harus dicukupi lagi selama proses
turn-off.Nilainya ditentukan dari daerah yang dicakup oleh aliran arus pengisian
balik.Nilai QRR bergantung pada kecepatan turun arus keadaan on dan nilai
puncak arus keadaan on sebelum turn-off.QRR merupakan sebab dari kehilangan
energi dalam devais.
JENIS-JENIS THYRISTOR
Thyristor dibuat
hampir seluruhnya dengan proses difusi.Thyristor dapat secara umum
diklasifikasikan menjadi sembilan kategori:
1. Phase –control thyristor (SCR)
2. Fast-switching thyristor(SCR)
3. Gate-turn-off thyristor (GTO)
4. Bidirectional triode thyristor(TRIAC)
5. Reverse-conducting thyristor (RCT)
6. Static induction thyristor (SITH)
7. Light-activated silicon-controlled rectifier (LASCR)
8. FET-controlled thyristor(FET-CTH)
9. MOS-controlled thyristor (MCT)
1. Phase-Control Thyristor (Kontrol Phase Thyristor)
Thyristor type ini secara umum beroperasi pada
line-frequency dan dimatikan dengan komutasi natural. Turn off time tq, berada
dalam orde 50 sampai 100 µs. Alat ini sangat cocok untuk aplikasi pensaklaran
kecepatan rendah yang dikenal sebagai thyristor konverter. Karena terbuat dari
silikon yang dikontrol maka thyristor ini disebut silicon-controlled rectifier
(SCR).
Dalam keadaan on, VT, bervariasi disekitar 1,15 V untuk
devais 600 V hingga 2,5 V untuk devais 4000 V; dan untuk thyristor 5500 A, 1200
V, sekitar 1,25 V.
2. Fast-Switching Thyristor
Biasanya thyristor ini digunakan pada penerapan teknologi
pensaklaran kecepatan tinggi dengan forced-commutation. Thyristor jenis ini
memiliki waktu turn off yang cepat, umumnya dalam 5 sampai 50 µs bergantung
pada daerah tegangannya. Tegangan jatuh forward pada keadaan on bervarasi
kira-kira seperti fungsi invers dari trun off time tq, dikenal juga sebagai
thyristor inversi.
Thyristor ini memiliki dv/dt yang tinggi biasanya 1000 V/µs
dan di/dt sebesar 1000 /µs. Turn off yang cepat akan sangat penting untuk
mengurangi berat dan ukuran dari komponen rangkaian reaktif. Thyristor ini
memiliki kemampuan blocking yang sangat terbatas kira-kira 10 V, biasanya
dikenal asymmetrical thyristor (ASCR).
3. Turn Off Thyristor
Alat ini dihidupkan dengan memberi sinyal gerbang positif.
GTO memiliki beberapa keuntungan dibandingkan SCR; (1) turn-off yang cepat,
memungkinkan komponen commulating pada forced-commutation, yang menghasilkan
pengurangan biaya, berat dan volume; (2) pengurangan usikan akustik dan
elektromagnetik karena hilangya commutation chokes; (3) trun-off yang cepat,
memungkinkan frekuensi pensaklaran yang tinggi; dan (4) meningkankan efisiensi
converter.
Pada aplikasi daya rendah , GTO memiliki keuntungan
dibandingkan bipolar transistor: (1) kemampuan bloking tegangan yang lebih
tinggi; (2) rasio arus puncak yang dapt dikontrol dengan arus rata-rata yang
tinggi; (3) rasio atus surge puncak terhadap arus terhadap arus rata-rata
tinggi, umumnya 10 : 1 ; (4) penguatan keadaan on tinggi (arus anode/arus
gerbang), umumnya 600; dan (5) durasi sinyal gerbang sinyal pulsa pendek.
Controllable peak on-state current ITGQ adalah nilai puncak
dari arus keadaan on, yang dapat dimatikan oleh control gerbang.
Dengan CS adalah kapasitansi snubber.
4. Bidirectional Triode Thyristor
TRIAC dapat bersifat konduktifdalam dua arah. Karena itu
TRIAC merupakan devais bidirectional, terminalnya tidak dapat ditentukan
sebagai anode/katode. Dalam prakteknya sensitivitas bervariasi antara satu
kuadran dengan kuadran lain, dan TRIAC biasanya beroperasi di kuadran I+
(tegangan) dan arus gerbang positif) atau kuadran III- (tegangan dan arus
gerbang negative).
5. Reverse-Conducting Thyristor
Suatu RCT dapat dipandangi sebagai suatu kompromi antara
karakteristikdevais dan kebutuhan dari rangkaian RCT dapat dianggap sebagai
suatu thyristor dengan built-in mode antipapralel. Tegangan forward blocking
bervariasi antara 400 samapi dengan 2000 V dan rating arus maju bergerakhingga
500 A. Tegangan blocking reverse biasanya sekitar 30 sampai dengan 40 V.
6. Static Induction Thyristor
Karakteristik dari SITH mirip dengan karakteristik dari
MOSFET. SITH biasanya dihidupkan dengan memberikan tegangan gerbang positif.
SITH merupakan devais pembawa muatan minoritas.
SITH memiliki kecepatan switching yang tinggi denagn
kemampuan dv/dt dan di/dt yang tinggi. Waktu switchingnya berada pada orde 1
sampai 6 µs. Rating tegangan mencapai 2500 V dan rating arus dibatasi 500 A.
devais ini sangat sensitive terhadap proses produksi, ganguan kecil dapat
megakibatkan perubahan besar pada karakteristiknya.
7. Light-Activated Silicon-Controlled Rectifier
Devais ini dihidupkan dengan memberikan radiasi langsung
pada wafer silicon. Pasangan electron-hole yang terbentuk selama proses radiasi
menghasilkan arus trigger pada pengaruh medan elektris.
LASCR digunakan untuk pemakaian arus dan tegangan yang
tinggi dan kompensasi daya reaktif statis. LASCR menediakan isolasi elektris
penuh antara sumber cahaya pen-trigger dan devais switching dari converter
daya, dengan potensial mengambang tinggi.
8. FET-Controlled Thyristor
Devais FET – CTH merupakan kombinasi MOSFET dan thyristor
secara parallel. Jika tegangan tertentu diberikan pada gerbang MOSFET, biasanya
3 V, arus pen-tringger dari thyristor akan bangkit secara internal. FET-CTH
memiliki kecepatan switching tinggi.
9. MOS-Controlled Thyristor
MOS-Controlled Thyristor (MCT) mengkombinasikan sifat-sifat
regeneratif thyristor dan struktur gerbang MOS. Karena strukturny NPNP anode
berlaku sebagai terminal acuan relatif terhadap semua sinyal gerbang yang
diberikan. Diasumsikan bahwa MCT berada dalam keadaaan blocking state dan
tegangan negatif VGAdiberikan. Kanal p (layer inversion) dibentuk dalam
material n-doped, yang mengakibatkan hole-hole mengalir secara lateral dari
emiter.
MCT dapat beroperasisebagai devais yang dikontrol oleh
gerbang jika arusnya lebih kecil dari arus maksimum yang dapat dikontrol. Usaha
untuk membuat MCT off pada arus yang melebihi nilai itu akan menyebabkan
kerusakan pada devais. Untuk nilai arus yang tinggi, MCT harus dimatikan
seperti thyristor biasa. Lebar pulsa gerbang tidak kritis untuk arus devais
yang lebih kecil. Untuk arus besar, lebar pulsa turn off harus lebih besar dari
pulsa turn-off harus lebih besar.
SCR, TRIAC dan DIAC
Thyristor berakar kata dari bahasa Yunani yang berarti
‘pintu’. Dinamakan demikian barangkali karena sifat dari komponen ini yang
mirip dengan pintu yang dapat dibuka dan ditutup untuk melewatkan arus listrik.
Ada beberapa komponen yang termasuk thyristor antara lain:
• PUT (programmable uni-junction transistor)
• UJT (uni-junction transistor )
• GTO (gate turn off switch)
• photo SCR dan sebagainya.
Namun pada kesempatan
ini, yang akan kemukakan adalah komponen-komponen thyristor yang dikenal dengan
sebutan SCR (silicon controlled rectifier), TRIAC dan DIAC.
STRUKTUR THYRISTOR
Ciri-ciri utama dari sebuah thyristor adalah komponen yang
terbuat dari bahan semiconductor silicon. Walaupun bahannya sama, tetapi
struktur P-N junction yang dimilikinya lebih kompleks dibanding transistor
bipolar atau MOS. Komponen thyristor lebih digunakan sebagai saklar (switch)
ketimbang sebagai penguat arus atau tegangan seperti halnya transistor.
Struktur dasar thyristor adalah struktur 4 layer PNPN
seperti yang ditunjukkan pada gambar-1a. Jika dipilah, struktur ini dapat
dilihat sebagai dua buah struktur junction PNP dan NPN yang tersambung di
tengah seperti pada gambar-1b. Ini tidak lain adalah dua buah transistor PNP
dan NPN yang tersambung pada masing-masing kolektor dan base.
Gambar-1 : Struktur Thyristor
Jika divisualisasikan sebagai transistor Q1 dan Q2, maka
struktur thyristor ini dapat diperlihatkan seperti pada gambar-2 yang berikut
ini.
Gambar-2 : Visualisasi dengan transistor
Terlihat di sini kolektor transistor Q1 tersambung pada base
transistor Q2 dan sebaliknya kolektor transistor Q2 tersambung pada base
transistor Q1.
Ib, yaitu arus
kolektor adalah penguatan dari arus base.bRangkaian
transistor yang demikian menunjukkan adanya loop penguatan arus di bagian
tengah. Dimana diketahui bahwa Ic =
Jika misalnya ada arus sebesar Ib yang mengalir pada base
transistor Q2, maka akan ada arus Ic yang mengalir pada kolektor Q2. Arus
kolektor ini merupakan arus base Ib pada transistor Q1, sehingga akan muncul
penguatan pada arus kolektor transistor Q1. Arus kolektor transistor Q1 tidak
lain adalah arus base bagi transistor Q2. Demikian seterusnya sehingga makin
lama sambungan PN dari thyristor ini di bagian tengah akan mengecil dan hilang.
Tertinggal hanyalah lapisan P dan N dibagian luar.
Jika keadaan ini tercapai, maka struktur yang demikian tidak
lain adalah struktur dioda PN (anoda-katoda) yang sudah dikenal. Pada saat yang
demikian, disebut bahwa thyristor dalam keadaan ON dan dapat mengalirkan arus
dari anoda menuju katoda seperti layaknya sebuah dioda
.
Gambar-3 : Thyristor diberi tegangan
Jika pada thyristor ini kita beri beban lampu dc dan diberi
suplai tegangan dari nol sampai tegangan tertentu seperti pada gambar 3. yang
terjadi pada lampu ketika tegangan dinaikan dari nol adalah lampu akan tetap
padam karena lapisan N-P yang ada ditengah akan mendapatkan reverse-bias (teori
dioda). Pada saat ini disebut thyristor dalam keadaan OFF karena tidak ada arus
yang bisa mengalir atau sangat kecil sekali. Arus tidak dapat mengalir sampai
pada suatu tegangan reverse-bias tertentu yang menyebabkan sambungan NP ini
jenuh dan hilang. Tegangan ini disebut tegangan breakdown dan pada saat itu
arus mulai dapat mengalir melewati thyristor sebagaimana dioda umumnya. Pada
thyristor tegangan ini disebut tegangan breakover Vbo.
SCR
Telah dibahas, bahwa untuk membuat thyristor menjadi ON
adalah dengan memberi arus trigger lapisan P yang dekat dengan katoda. Yaitu
dengan membuat kaki gate pada thyristor PNPN seperti pada gambar-4a. Karena
letaknya yang dekat dengan katoda, bisa juga pin gate ini disebut pin gate
katoda (cathode gate). Beginilah SCR dibuat dan simbol SCR digambarkan seperti
gambar-4b. SCR dalam banyak literatur disebut Thyristor saja.
(c)
Gambar-4 : Struktur SCR
Melalui kaki (pin) gate tersebut memungkinkan komponen ini
di trigger menjadi ON, yaitu dengan memberi arus gate. Ternyata dengan memberi
arus gate Ig yang semakin besar dapat menurunkan tegangan breakover (Vbo)
sebuah SCR. Dimana tegangan ini adalah tegangan minimum yang diperlukan SCR
untuk menjadi ON. Sampai pada suatu besar arus gate tertentu, ternyata akan
sangat mudah membuat SCR menjadi ON. Bahkan dengan tegangan forward yang kecil sekalipun.
Misalnya 1 volt saja atau lebih kecil lagi. Kurva tegangan dan arus dari sebuah
SCR adalah seperti yang ada pada gambar-5 yang berikut ini.
Gambar-5 : Karakteristik kurva I-V SCR
Pada gambar tertera tegangan breakover Vbo, yang jika
tegangan forward SCR mencapai titik ini, maka SCR akan ON. Lebih penting lagi
adalah arus Ig yang dapat menyebabkan tegangan Vbo turun menjadi lebih kecil.
Pada gambar ditunjukkan beberapa arus Ig dan korelasinya terhadap tegangan
breakover. Pada datasheet SCR, arus trigger gate ini sering ditulis dengan
notasi IGT (gate trigger current). Pada gambar ada ditunjukkan juga arus Ih
yaitu arus holding yang mempertahankan SCR tetap ON. Jadi agar SCR tetap ON
maka arus forward dari anoda menuju katoda harus berada di atas parameter ini.
Sejauh ini yang dikemukakan adalah bagaimana membuat SCR
menjadi ON. Pada kenyataannya, sekali SCR mencapai keadaan ON maka selamanya
akan ON, walaupun tegangan gate dilepas atau di short ke katoda. Satu-satunya
cara untuk membuat SCR menjadi OFF adalah dengan membuat arus anoda-katoda
turun di bawah arus Ih (holding current). Pada gambar-5 kurva I-V SCR, jika
arus forward berada dibawah titik Ih, maka SCR kembali pada keadaan OFF. Berapa
besar arus holding ini, umumnya ada di dalam datasheet SCR.
Cara membuat SCR menjadi OFF tersebut adalah sama saja
dengan menurunkan tegangan anoda-katoda ke titik nol. Karena inilah SCR atau
thyristor pada umumnya tidak cocok digunakan untuk aplikasi DC. Komponen ini
lebih banyak digunakan untuk aplikasi-aplikasi tegangan AC, dimana SCR bisa OFF
pada saat gelombang tegangan AC berada di titik nol.
Ada satu parameter penting lain dari SCR, yaitu VGT.
Parameter ini adalah tegangan trigger pada gate yang menyebabkan SCR ON. Kalau
dilihat dari model thyristor pada gambar-2, tegangan ini adalah tegangan Vbe
pada transistor Q2. VGT seperti halnya Vbe, besarnya kira-kira 0.7 volt.
Seperti contoh rangkaian gambar-6 berikut ini sebuah SCR diketahui memiliki IGT
= 10 mA dan VGT = 0.7 volt. Maka dapat dihitung tegangan Vin yang diperlukan
agar SCR ini ON adalah sebesar :
Vin = Vr + VGT
Vin = IGT(R) + VGT = 4.9 volt
Gambar-6 : Rangkaian SCR
TRIAC
Boleh dikatakan SCR adalah thyristor yang uni-directional,
karena ketika ON hanya bisa melewatkan arus satu arah saja yaitu dari anoda
menuju katoda. Struktur TRIAC sebenarnya adalah sama dengan dua buah SCR yang
arahnya bolak-balik dan kedua gate-nya disatukan. Simbol TRIAC ditunjukkan pada
gambar-6. TRIAC biasa juga disebut thyristor bi-directional.
Gambar-7 : Simbol TRIAC
TRIAC bekerja mirip seperti SCR yang paralel bolak-balik,
sehingga dapat melewatkan arus dua arah.
Pada datasheet akan lebih detail diberikan besar
parameter-parameter seperti Vbo dan -Vbo, lalu IGT dan -IGT, Ih serta -Ih dan
sebagainya. Umumnya besar parameter ini simetris antara yang plus dan yang
minus. Dalam perhitungan desain, bisa dianggap parameter ini simetris sehingga
lebih mudah di hitung.
DIAC
Kalau dilihat strukturnya seperti gambar-8a, DIAC bukanlah
termasuk keluarga thyristor, namun prinsip kerjanya membuat ia digolongkan
sebagai thyristor. DIAC dibuat dengan struktur PNP mirip seperti transistor.
Lapisan N pada transistor dibuat sangat tipis sehingga elektron dengan mudah
dapat menyeberang menembus lapisan ini. Sedangkan pada DIAC, lapisan N di buat
cukup tebal sehingga elektron cukup sukar untuk menembusnya. Struktur DIAC yang
demikian dapat juga dipandang sebagai dua buah dioda PN dan NP, sehingga dalam
beberapa literatur DIAC digolongkan sebagai dioda.
(c)
Gambar-8 : Struktur dan simbol DIAC
Sukar dilewati oleh arus dua arah, DIAC memang dimaksudkan
untuk tujuan ini. Hanya dengan tegangan breakdown tertentu barulah DIAC dapat
menghantarkan arus. Arus yang dihantarkan tentu saja bisa bolak-balik dari
anoda menuju katoda dan sebaliknya. Kurva karakteristik DIAC sama seperti
TRIAC, tetapi yang hanya perlu diketahui adalah berapa tegangan breakdown-nya.
Simbol dari DIAC adalah seperti yang ditunjukkan pada
gambar-8b. DIAC umumnya dipakai sebagai pemicu TRIAC agar ON pada tegangan
input tertentu yang relatif tinggi. Contohnya adalah aplikasi dimmer lampu yang
dapat dilihat pada gambar-9.
gambar-9.
KESIMPULAN
Ada sembilan tipe
thyristor. Hanya GTO, SITH, MCT yang merupakan devais yang bisa dimatikan
melalui gerbang. Setiap tipe memiliki keuntungan dan kerugian. Karakteristirk
praktis dari thyristor sangat berbeda dengan karakteristik idealnya.
Karena adanya perbedaan
karakteristik dari thyristor dengan tipe yang yang sama, operasi serial dan
parallel dari thyristor memerlukan rangkaian rangkaian pembagi tegangan dan
pembagi arus yang melindungi thyristor dari kondisi keadaan tunak dan transien.
Cukup penting untuk memisahkan antara rangkaian thyristor dengan rangkaian
gerbang. Isolasi transformator pulsa cukup sederhana tetapi efektif. Untuk
beban induktif, deretan pulsa akan mengurangi kehilangan di thyristor dan biasa
digunakan untuk gating thyristor, selain dari pulsa kontinyu. UJT dan OUT
digunakan untuk membangkitkan pulsa-pulsa trigger.